GaN充电器引热潮，华为等多家厂商抢滩半导体
admin“我以前是码农，当时每天都背着笔记本电脑，最恨带“铁疙瘩”充电器，又丑又大又重。看看今天的GaN充电器……一个充电器搞定所有常用设备！”近日，雷军在小米10线上发布会上特别提到GaN充电器，引发了广泛关注。
小米此次的充电器采用纳微半导体的GaNFast充电技术。雷军表示，GaN（氮化镓）是第三代半导体材料之一，与前两代半导体材料相比，第三代半导体拥有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。
具体到充电器上，它能做到小体积、轻重量，在充电效率转换上比相同功率充电器（非GaN）更具优势，此外还能为笔记本等大功率设备充电。
其实小米并不是第一家宣传GaN充电器的厂商。去年10月，OPPO Reno Ace正式发布，就标配了65W GaN充电器。OPPO因此成为全球首家在手机充电器中导入氮化镓技术的厂商。
而在此前，GaN器件主要应用于军工、航空等成本敏感性低的行业。随着5G手机对电池功耗的需求提升，手机、电脑等终端一体化进程加快，属于GaN的时机也终于到来。
中信证券最新研报认为，目前市面上已有多家厂商布局GaN快充，预计随着用户对便携性的需求提高，预计2020年全球GaN充电器市场规模为23亿元，2025年则有望达到600多亿！
毫无疑问，这是一个上升中的强有力市场。实际上，国内已有不少企业抢滩第三代半导体。据悉，包括华为海思三安光电、闻泰科技、士兰微、华润微、海特高新、华微电子、扬杰科技等在内的多家公司，均已积极布局。
以华为为例，其在去年8月投资了山东天岳先进材料科技有限公司，持股10%。后者从事第三代半导体材料（碳化硅）相关业务，而碳化硅是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，综合性能较硅材料可提升上千倍，被誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”！
